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Typical Characteristics
10
600
I D = -4A
V DS = -5V
-10V
C ISS
f = 1 MHz
V GS = 0 V
8
-15V
450
6
300
4
2
0
150
0
C RSS
C OSS
0
2
4
6
8
10
0
6
12
18
24
30
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
100
10
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
10
R DS(ON) LIMIT
1ms
100 μ s
8
SINGLE PULSE
R θ JA = 156°C/W
T A = 25°C
10ms
100ms
6
1
1s
V GS = -10V
DC
4
0.1
0.01
SINGLE PULSE
R θ JA = 156 o C/W
T A = 25 o C
2
0
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
D = 0.5
0.2
R θ JA (t) = r(t) + R θ JA
R θ JA = 156 o C/W
0.1
0.1
0.05
0.02
P(pk)
t 1
0.01
0.001
0.01
SINGLE PULSE
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
Si3457DV Rev A 1 (W)
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